在我們?nèi)粘Ｉ钪须娔芤呀?jīng)成為不可或缺的生活能源。自其誕生以來，人類一直在技術(shù)領(lǐng)域?qū)で笸黄?，以期望其能更好的為時(shí)代發(fā)展添加動(dòng)力。隨著科技的進(jìn)步，近些年電力電子相關(guān)技術(shù)應(yīng)用得到了迅猛發(fā)展。因此作為一名電氣工作人員，很有必要熟悉掌握基本的電力電子知識(shí)，以適用日益復(fù)雜的電氣工作環(huán)境。

　　什么是電力電子技術(shù)？使用電力電子器件對(duì)電能進(jìn)行變換和控制的技術(shù)即為電力電子技術(shù)。電力電子技術(shù)不同于一般微電子等其它技術(shù)，其屬于電源技術(shù)研究方向。電力電子技術(shù)系統(tǒng)主要有控制電路、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等相關(guān)器件構(gòu)成。

　　主要常見的電力電子器件主要有：

      ①、 GTO——門極可關(guān)斷晶閘管（可控硅）電流驅(qū)動(dòng)型門極施加負(fù)的脈沖電流使其關(guān)斷；

      (晶閘管電加熱裝置)

      ②、 GTR——電力晶體管(巨型晶體管)開關(guān)狀態(tài)大功率三級(jí)管；

      ③、 BJT——耐高壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管;

      ④、電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管——電力MOSFET(電壓驅(qū)動(dòng)型)；

　　電力MOSFET的種類（10——100ns工作時(shí)間，頻率100KHZ）:

　　耗盡型——當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道；

　　增強(qiáng)型——對(duì)于N、P溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道；

　　電力MOSFET一般為N溝道增強(qiáng)型。大部分采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)又稱VMOSFET。

      VVMOSFET——V型槽垂直導(dǎo)電；

      VDMOSFET——垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散；

      ⑤、絕緣柵雙極晶體管——稱為IGBT或者IGT(內(nèi)部由1個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管、一個(gè)三極管和一個(gè)反向阻尼二極管構(gòu)成屬電壓驅(qū)動(dòng)型)，由于其既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)。在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。是未來電力電子技術(shù)發(fā)展的重要功率器件；

      （IGBT功率模塊）

      ⑥、MCT——電力場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的復(fù)合型；

      ⑦、SIT——靜電感應(yīng)晶體管（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）；

      ⑧、SITH——場(chǎng)控晶閘管：

      ⑨、IGCT——集成門極換流晶閘管；

　　此外隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)向模塊化、智能化方向發(fā)展，出現(xiàn)了譬如功率模塊、功率集成電路（PIC將功率器件與邏輯運(yùn)算、控制、保護(hù)、傳感器模擬信號(hào)、檢測(cè)、自檢等功能集成在同一芯片的特殊集成電路）、高壓集成電路HVIC、智能功率集成電路SPIC、智能功率模塊IPM等。

    （常見于焊接設(shè)備的功率模塊）

　　電力電子器件的驅(qū)動(dòng)其主電路高電壓和控制電路之間要采取相應(yīng)的隔離安全措施，目前一般采用光耦隔離和磁隔離。所有的電源轉(zhuǎn)換電路一般可分為四種形式即：

　　交流變交流——變壓

　　交流變直流——整流

　　直流變直流——削波

　　直流變交流——逆變

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